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本期推介来自深圳大学的一项半导体与集成电路领域发明专利，详情如下：

专利号：ZL202411722784.9

专利名称：一种钙钛矿半导体器件及其制备方法

专利权人：深圳大学

专利类型：发明专利

涉及领域：半导体与集成电路

专利简介：本发明公开了一种钙钛矿半导体器件及其制备方法，该半导体器件采用透明玻璃衬底，钙钛矿半导体器件的结构自透明玻璃衬底而上依次为：第一透明导电氧化物层、钙钛矿层、量子点掺杂层、电子选择层、电子传输层、缓冲层、第二透明导电氧化物层；第一透明导电氧化物层和第二透明导电氧化物层均采用ITO；钙钛矿层采用CH3NH3PbI3，所述量子点掺杂层采用CdSe量子点进行掺杂；电子选择层采用Bi2Se3薄膜材料；本发明的钙钛矿半导体器件具有较高的短路电流和能量转换效率，量子点掺杂层和硒化铋层的引入，协同作用下提高了电池的光吸收能力和载流子传输效率，显著提升了光电转换效率。

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